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发布使用9.9nm宽的四层闭合边缘GNR制成的场效应晶体管可得到3776cm2 V–1 s–1的器件迁移率。全球使用HNO3 选择性刻蚀在高压下被压扁CNT的边缘制得的边缘打开的GNR （来源：NatureElectronics）石墨烯纳米带晶体管的性能研究人员使用2.8nm宽的GNR在硅片上制备了场效应晶体管（GNRFET）。